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電子元器件失效分析

電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。

電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。


失效模式

開(kāi)路,短路,漏電,功能失效,電參數(shù)漂移,非穩(wěn)定失效等


主要涉及的檢測(cè)項(xiàng)目

電測(cè)

連接性測(cè)試、電參數(shù)測(cè)試、功能測(cè)試

無(wú)損檢測(cè)

射線檢測(cè)技術(shù)( X 射線、γ 射線、中子射線等),工業(yè)CT,康普頓背散射成像(CST)技術(shù),超聲檢測(cè)技術(shù)(穿透法、脈沖反射法、串列法),紅外熱波檢測(cè)技術(shù),聲發(fā)射檢測(cè)技術(shù),渦流檢測(cè)技術(shù),微波檢測(cè)技術(shù),激光全息檢驗(yàn)法等。

制樣技術(shù)

①開(kāi)封技術(shù)(機(jī)械開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、激光開(kāi)封)

②去鈍化層技術(shù)(化學(xué)腐蝕去鈍化層、等離子腐蝕去鈍化層、機(jī)械研磨去鈍化層)

③微區(qū)分析技術(shù)(FIB、CP)

顯微形貌分析

光學(xué)顯微分析技術(shù)、掃描電子顯微鏡二次電子像技術(shù)

表面元素分析

掃描電鏡及能譜分析(SEM/EDS)、俄歇電子能譜分析(AES)、X射線光電子能譜分析(XPS)、二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)

無(wú)損分析技術(shù)

X射線透視技術(shù)、三維透視技術(shù)、反射式掃描聲學(xué)顯微技術(shù)(C-SAM)


失效分析流程

(1)失效背景調(diào)查:產(chǎn)品失效現(xiàn)象?失效環(huán)境?失效階段(設(shè)計(jì)調(diào)試、中試、早期失效、中期失效等等)?失效比例?失效歷史數(shù)據(jù)?

(2)非破壞分析:X射線透視檢查、超聲掃描檢查、電性能測(cè)試、形貌檢查、局部成分分析等。

(3)破壞性分析:開(kāi)封檢查、剖面分析、探針測(cè)試、聚焦離子束分析、熱性能測(cè)試、體成分測(cè)試、機(jī)械性能測(cè)試等。

(4)使用條件分析:結(jié)構(gòu)分析、力學(xué)分析、熱學(xué)分析、環(huán)境條件、約束條件等綜合分析。

(5)模擬驗(yàn)證實(shí)驗(yàn):根據(jù)分析所得失效機(jī)理設(shè)計(jì)模擬實(shí)驗(yàn),對(duì)失效機(jī)理進(jìn)行驗(yàn)證。

注:失效發(fā)生時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)和樣品務(wù)必進(jìn)行細(xì)致保護(hù),避免力、熱、電等方面因素的二次傷害。